IBM desarrolló con éxito un prototipo del dispositivo de memoria dinámica sobre chip más pequeño, denso y veloz de la industria de semiconductores con tecnología de silicio sobre aislante (SOI) en fabricación de 32 nanómetros.
La compañía presume que su tecnología SOI es capaz de mejorar hasta un 30% el rendimiento del chip a la vez que reduce hasta 40% el consumo de los chips, pues la cubierta aislante reduce la pérdida (leakage) aumentando la eficiencia del flujo eléctrico.
Este chip de prueba ofrece mayor densidad, capacidad y velocidad que las memorias SRAM (Static RAM) de 32 y 22 nm lo cuál la hace comparable con lo que podría rendir una SRAM fabricada en 15nm; a pesar de su proceso de fabricación es más pequeña que las celdas SRAM de 22nm que anunció la misma IBM en agosto del año pasado.
Los tiempos de ciclo y latencia alcanzan 2 nanosegundos, utiliza cuatro veces menos energía en reposo y su tasa de errores por carga eléctrica llega a ser mil veces menor, todas estas medidas se traducen en mejoras de rendimiento y menor consumo y por su densidad un menor tamaño beneficiando a todos los sectores, por ejemplo móviles con menor tamaño y mayor autonomía, o servidores más veloces y con menor consumo.
Entre otras cosas IBM ya está trabajando con fundiciones en adoptar los nuevos procesos y ARM ya se encuentra desarrollando librerías de diseño acordes a la nueva tecnología e IBM amplió su colaboración para incluir la tecnología de 22 nm lo cuál dará acceso temprano a ARM al futuro nodo de proceso.
Fuente: Comunicado Por E-Mail
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