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GlobalFoundries Prueba HKMG en 22nm

Por ahora son MOSFETS pero es prometedor

Kyoto, Japón Global Foundries en alianza con IBM, reportó la primera demostración de una técnica que les permitirá escalar las compuertas HKMG a los nodos de 22nm y menos.

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Al reducir los componentes de tamaño una parte esencial de los transistores HKMG (High K Metal Gate) llamada EOT (equivalent oxide thickness) también debe ser reducida, pero al hacer esto se puede tener el problema de pérdida de corriente y esto eleva el consumo de los chips.

Según Global Foundries, entre las ventajas que tendrá aplicar esta técnica mencionan una baja pérdida de corriente (leakage) y bajo voltaje, las cuáles darán capacidad a los clientes de GF para seguir avanzando en las aplicaciones de semiconductores más rápidos y eficientes, además de ser el único proveedor de HKMG en combinaciones Bulk y SOI (Silicio sobre aislante por sus siglas en inglés)

El proceso de HKMG + SOI está siendo preparado para entrar a toda máquina en la primera mitad de 2010, esto dejaría el proceso productivo a sólo meses atrás del gigante Intel y AMD como principal cliente de GF se verá muy beneficiado con el nuevo ritmo que toma la fundición.

Una imagen para los entendidos

 

Fuente: AMDZone y Bright Side Of News

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